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内存颗粒商产能大减 价格可能会大涨
作者:佚名 文章来源:
不详
点击数: 更新时间:2006-4-18 23:58:16
国际DRAM内存大厂转换产能抢攻NAND型Flash市场效应快速扩散,继三星(Samsung)率先启动产能转换,并于日前通知下游DRAM模组厂客户,7月起全面展开强制配货动作。现代(Hynix)也将自7月起大举调配产能投入Flash生产,加上力晶紧接着自8月起转移产能,在3大DRAM厂连续响起DRAM内存供货警报情况下,DRAM内存模组厂即将进入长达数个月的供货枯水期。
DRAM模组业者表示,原本DRAM供货量仅受到三星转换产能影响,因而还未明显感受到货源不足压力,但自7月起,现代同样也将转换产能至Flash,在2大DRAM厂双重效应冲击下, DRAM供货量大减,并连带使得三星决定自7月起,对于下游DRAM模组厂全面采取强制配货动作,所有DRAM颗粒货源均优先供应国际OEM电脑大厂。
事实上,三星自2005年第一季末逐月增加NAND型Flash产能,并自6月起DRAM供货量减少效应开始扩散,不过,由于6月时仅有三星因转移产能对DRAM市场造成影响,使得6月DRAM颗粒平均合约报价,仅出现持平或微幅增加状态。
DRAM模组厂指出,7月起现代也将正式加入转移NAND型Flash产能行列,预料DRAM市场供货量将持续降低,并使得DRAM内存颗粒合约价将很有机会在7月上半调涨约5~10%。值得注意的是,8月起力晶增加对瑞萨(Renesas)AG-AND型Flash代工的转产效应亦将显现,届时将造成DRAM市场供货来源“三缺效应”同时发生。
更重要的是,国际OEM电脑大厂需求自6月起已逐步增温,7月起更将进入资讯产业传统旺季,加上国际DRAM大厂均将优先以供应OEM电脑大厂为主,因此,DRAM模组厂恐将面临长达数个月的供货枯水期,各家DRAM模组厂仅能各凭本事寻找DRAM货源,预料台DRAM厂可望因而受惠。
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