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Intel改良65nm工艺 试产10GHz存储芯片
作者：佚名 文章来源：不详 点击数： 更新时间：2006-4-19 0:53:26

HKEPC报道：在正式导入新工艺或对现有工艺进行改良时，半导体厂商都会先在内存上做试验，而Intel在台北IDF上表示，他们已经成功使用65nm工艺生产出了频率高达10.1GHz的存储芯片。

Intel数字企业事业部总经理Thomas M.Kilroy在IDF上展示了Intel最新的65nm工艺晶圆。利用改良后的65nm工艺，Intel已经能够生产出10.1GHz的64Bit Register File Array存储芯片，创造了业界新记录，同时0.85V电压下可稳定工作于4GHz，而且其延迟也由两个循环降至一个循环，最高功耗更是只有42mW。看来Intel的65nm工艺已经达到了炉火纯青的地步。

此外，Intel已经利用45nm工艺完成了具备完整功能的152Mb SRAM芯片的开发，并将在2007年下半年正式导入新工艺。除了可进一步降低产品成本外，45nm相比65nm还能带来20％的性能提升和30％的功耗下降。


65nm,45nm,Intel

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