iPhone5s硬盘接口类型图解

　　就绪/忙（Ready/Busy,R/B#）：假如NAND器件忙，R/B#信号将变低。应该在信号漏极开路，需要采用上拉电阻数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口当进行编程操作的时候，等待编程的数据进入数据寄存器，处于在WE+信号的上升沿。在寄存器内可以随机存取或移动数据，采用专用指令以便随机存取。

iPhone5s硬盘接口类型图解（图1）

　　1、当硬盘供电OK时，CPU对硬盘电压检测，产生电压检测信号通过R137 50K电阻1.8V电压分别检测硬盘的两路总线接口ANCO，ANCI。

　　2、硬盘自身产生一个1.2V通过电容C50滤波。

　　3、CPU发出到硬盘的写信号WE两路总线接口。

　　4、CPU发出读信号RE，两路总线接口。

　　5、CPU发出指令锁存信号CLE到硬盘。

　　6、CPU发出地址锁存信号ALE到硬盘。

　　7、硬盘就绪忙信号动作R/B。

　　8、CPU发出数据脉冲信号DQS到硬盘，保持同步。

　　9、通信接口ANCO，ANCI开始通信。

iPhone5s硬盘接口类型图解（图2）

iPhone5s硬盘接口类型图解（图3）

　　除了I/O总线，NAND接口出6个主要控制信号构成：

iPhone5s硬盘接口类型图解（图4）

　　1、芯片启动（Chip Enable,CE#）：如果没有检测到CE信号，那么NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号作出相应。

　　2、写使能（Wrile Enable,WE#）：WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。

　　3、读使能（Read Enable,RE#）：RE#允许输出数据缓冲器。

　　4、指令锁存使能（Commuud latch Enable,CLE）:当CLE为高时，在WE#信号的上升，指令被锁存到NAND指令寄存器中。

　　5、地址锁存使能（Address latch Enable,AIE）：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。

　　6、DQS数据选通脉冲信号，它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区别每个传输周期，并便于接收方准确的接收数据，每一项芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来转送由CPU发来的DQS信号，读取是则由芯片生成DQS信号，向CPU发送。完全可以说是数据的同步信号。

iPhone5s硬盘接口类型图解（图5）

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