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请问什么是 MOS管 ?

rayray1228 发表于 2007-9-7 18:20:31 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 中国香港

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请问什么是 MOS管 ?* Q5 Q6 W7 K! q9 d6 I. ~9 I
有什么型号或机种可以说一下吗?- Z+ b; w  J  o
谢谢
nmgheyong 发表于 2007-9-7 19:29:34 | 显示全部楼层 来自 中国北京
这个很多呢,具体型号,我明天去了在给你往上发哇!
kbp 发表于 2007-9-8 03:59:00 | 显示全部楼层 来自 中国北京
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数
. b; \# g) ]# C. O- ^7 z3 y场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)。 1.1: Q: N) e8 |' K; m
1.1.14 j* C9 M' H" [/ G& g4 @1 ^
MOS场效应管$ ~0 Q7 V$ ]" q' y5 j6 B
MOS场效应管有增强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极:, F3 d. M5 W* f* `( i" m
D(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极;1 [( g2 T: r7 M) E
G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极;( a7 L! V3 B8 k% k6 a. Q
S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。, `8 T! w3 ]% T( `
增强型MOS(EMOS)场效应管
/ T+ F) T' m. M* i根据图3-1,N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底,用符号B表示。, D  Q8 I) w7 D; h" s1 U
图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意
kbp 发表于 2007-9-8 04:00:52 | 显示全部楼层 来自 中国北京
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。 : {, i3 p1 @$ f8 R, M
/ D8 M+ ?5 G& x" x1 W! V  m
以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。图1(a)符号中的前头方向是从外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。
: c7 U/ q; ]" b7 r
+ k$ S9 J6 i5 y. A国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图2。
/ I( \6 Y) j' y8 k( U
6 i0 d7 {( @% J$ w; a' TMOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
/ `: B# G" i/ P4 U
! K9 s) v% u& D9 [- V" w$ u! U$ p1.准备工作
( ]2 G. P7 J4 A& ^/ y9 }6 `' |) {( C
测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。   B+ v* m+ {9 w4 b9 r" @9 g

8 g6 B* Y# q7 E/ w" {. ]2.判定电极
5 R: V+ r2 X+ C% i, q- p
/ I' S' r7 O3 @5 g+ R& a将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。
& v5 p3 G# |4 X/ G
5 |! u9 P6 R/ a, ]& c: {/ q3.检查放大能力(跨导) + u5 A: e* ?* o

7 G; ]: w1 u" @' _+ O. `将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
  q( {  s* t, D% e2 u7 t" H$ O! u. n- R2 U0 [
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。% j# r( p, O0 G* E
' ?( K! H) V; x7 O2 R
5 w. M% ~2 M6 @& [  D$ N
http://www.dz863.com/Power-Management-design/Power-electronics/MOS-MOSFET.htm
yyj 发表于 2007-9-8 07:43:24 | 显示全部楼层 来自 中国湖南邵阳
lxq1202 发表于 2007-9-8 17:26:01 | 显示全部楼层 来自 中国江苏苏州
很详细,学习
头像被屏蔽
badliv 发表于 2007-9-10 01:20:56 | 显示全部楼层 来自 中国河南郑州
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
netfwq1 发表于 2007-9-10 10:23:31 | 显示全部楼层 来自 中国安徽合肥
什么东西呀
fanchunjia 发表于 2007-9-10 11:01:48 | 显示全部楼层 来自 中国浙江温州
很简单的就是 小的6脚场管  在IBM  T40 接屏线的下面就用两个  4个相连的脚  两个单独脚  有控制和输出
fanchunjia 发表于 2007-9-10 11:03:26 | 显示全部楼层 来自 中国浙江温州
55AL
dxy777 发表于 2007-9-10 19:30:46 | 显示全部楼层 来自 中国湖北武汉
说那么多都没有什么实际用途, ~! f! f- q. ~) X6 z
知道怎么测就行了0 U  w& n/ t, t$ W" M& o0 H) U$ Y
这样告诉初学者,越看越糊涂
zhushaoxiang 发表于 2008-12-12 11:23:37 | 显示全部楼层 来自 中国安徽宣城
:lol - C6 I5 |8 i7 v8 r; l- J. G# j' U
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