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[资料图纸] DDR II的新特性

jwp2005 发表于 2007-9-27 12:46:09 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 中国福建南平

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在最新的DDR II上,主板设计上已经取消了部分信号的衰减电阻和终端电阻,而将其集成于内存上。
我们称这DDR II的新特性为ODT功能,即On Die Terminator(内建终端电阻器)。当在DRAM模块工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM模块则进行终结操作,起到减少信号反射的作用(注:ODT的开启与禁止由北桥芯片控制,ODT所终结的信号包括DQS、RDQS、DQ等等,可参考单通道DDR-I内存的示意图)。
这样可以产生更干净的信号品质,从而产生更高的内存时钟频率速度。而将终端电阻设计在内存芯片之上还可以简化了主板的设计,降低了主板的成本,而且终端电阻可以和内存颗粒的"特性"相符,从而减少内存与主板的兼容问题的出现。
谢谢谢 发表于 2007-9-29 12:47:14 | 显示全部楼层 来自 中国广东中山
感谢分享.
cqflctq 发表于 2007-9-30 06:22:42 | 显示全部楼层 来自 中国重庆
这下明白了为什么新主板上见不到"衰减电阻"和"终端电阻"的原因了.
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