内存颗粒怎么看大小

Samsung内存

具体含义解释：

例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0

% k$ S4 A' w2 s4 v, Y) K主要含义：
8 h  ?! r" d1 q
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
3 D0 ~  M- e2 x* j
, ^! O, _- H5 ~第2位——芯片类型4，代表DRAM。
6 O/ x/ k& e, P( |% q* n/ J. H: Z
+ X: x# s* J' S- L3 a1 ?2 h第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
$ k' W/ u& {5 g) B
& V2 o" d+ E6 _4 q/ H4 e第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
7 T* U3 x. [7 e
第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
8 R# ~7 M% |# \( R9 n( S
5 s: j; x( b2 a& s) a8 I1 p知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
9 O6 q( Q' d& `! x
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。


" v  m1 G, D9 ^1 lHynix(Hyundai)现代


4 m/ c) M/ e3 F' D·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
' R4 i! Y1 f9 U& c$ ]/ g
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
2 O4 T  ~6 h4 c" \6 P; k% K8 _
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

  ]! r2 C- Q& [: D" D: k! m·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
  Y/ {& C$ z/ @2 \
' Q5 l1 P0 W/ B7 x2 v& C! q·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=Fbga；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
4 M2 U9 U' c' d+ S* |- D6 M
) K/ g2 H8 n5 D3 U% }·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
1 A2 v+ z! V. W% a5 |0 W, ^
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
8 W$ c, l9 a+ r, p: ~
1 u9 Q2 \7 |% B; z7 {·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
" `+ M4 W6 @3 U% V3 G7 p
. E# J8 a' L4 Y) f4 ]* c2 w* Y6 B# {现代内存的含义：
2 z0 C- \/ K) H9 D/ |3 d2 {
HY5DV641622AT-36
+ i5 u4 N7 w4 \; @: [
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
; v2 v. E! f( N
123456789101112

1、HY代表是现代的产品
5 l1 `, V$ C% W) J4 N6 U3 Q: \; C
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；

; t) I1 f# ^' P+ C# E2 [# }3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
, t7 L% c! A6 [( w4 o+ A9 j
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2

% T9 i! r7 I; Z& `8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

- n; Q7 h& O+ u0 J7 j9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

- T. [5 z! O. d- p: |; H+ p% A10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
& Z6 t$ r/ B) I
3 g8 \' [. [6 X! h3 H11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、LDR200、HDR266B、 KDR266A

7 o1 a, C* X+ l. P- z, B1 v, s现代的mBGA封装的颗粒
$ c. K+ m# O/ B+ i' u9 U9 }+ d6 C8 E$ T. R
" _8 W7 N& \- `! T( h0 a5 o
" {$ F' p7 N( Z* R& z
Infineon（英飞凌）
, |/ q! p8 {! k3 `, Y# I7 L, e; W. O
% x# s, I7 j7 }0 J; S5 w9 u0 j0 qInfineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
. d. v5 Q7 Z( [$ ^" ?4 j+ o9 ^
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
, C" ?+ M; S, x* a. _, F
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：
' q5 |$ G1 f3 z8 \+ W! O1 [! z$ v
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

/ i8 t) N! E% ?$ d1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。




. F% @8 M: v7 k* J
  u2 s0 ^2 l$ ^3 h# J5 WKINGMAX、kti
0 [5 A2 o& ~9 F$ r" o! H7 L
2 x6 Z( L5 D0 [3 B: Y  Q* g% Z/ dKINGMAX内存的说明

Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

) j  h2 I/ U, e0 W. z容量备注：

3 m# r8 r; d7 ~, j4 Y. iKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；
6 B+ c; E, r- J) b# W
/ R  n3 W" S. _2 O" `6 W$ F' [KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；

" r  o. R0 m& T% n4 PKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
# Q" K# h$ ~0 p) R! ]
( M0 B# G+ J. L. bKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
% g; x1 G( a" m
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
5 R, e# K5 a1 o1 K( t: |
  g0 m( C& ~3 u* BKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
7 |( Y1 u* @5 s7 k5 K: |
-7A——PC133/CL=2；
0 F  G% t, C$ ~, X& {! k
1 |5 K  `8 s' }) \* i4 o-7——PC133/CL=3；

, Y, q- {0 Q" D; D, S( H( [-8A——PC100/CL=2；
+ ~! p+ \! e0 ^* {* G% y$ ^& w
1 |$ v# ]" u+ u  Q! [: [/ u& S-8——PC100/CL=3。
$ m& \5 Z3 {. |" H  N3 k, h8 i# ]
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

6 _0 D. e- I9 F) Y  o  I! Z$ A3 j
/ a9 r& u7 T7 y7 h& a

Micron（美光）
- f  U4 ]6 z; a
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
2 |% f+ w# x# w% k, ~5 f$ C
含义：
6 z, _; R6 x) W) K  ?" n
9 ^( j7 l. m( N& P4 pMT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。

, a' {2 o- @: L% ELC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
: z( m# I, Z2 w% V
% O; y& l5 W8 I8 s16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

& u2 x8 E, N4 m! q3 sA2——内存内核版本号。
4 I+ q5 L. s5 R+ t& ~
TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
; v3 o! ?# w* t0 }( {! S7 N1 b  `7 N( _
* }0 L. P7 r2 `6 q* }9 P, f, c9 D( f实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
% V/ I; I  F  k" y$ l3 ?9 @. J
: e6 }5 e9 |$ K' Y( b/ g其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。
5 [8 o: i, s! r' D

& @- e$ U  M$ I  R; p
7 C" S0 X3 E& J1 N% h, f

5 T& Y, ?( t) @2 LWinbond（华邦）
! O! c9 @2 t' U) t0 f
2 c7 F7 V" ?: V' t& q$ Q1 ?9 G含义说明：
, f& X! N$ h# B) u
WXXXXXXXX

8 a& p# c7 I- N12345
! n% D( {! J3 c
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

6 I$ I9 p0 K( g; ]  u2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
2 p5 L: M" ?! J9 E" E8 T, @& ?
& `4 z7 s; B$ t2 B$ h
, f- V* U3 J5 m6 D0 c( B" C
; o8 W, O$ s5 R) o8 z
- {; _4 M5 F7 I

Mosel（台湾茂矽）
8 b' q, {4 r' N4 e0 m


/ _8 h2 y5 Y& w: `  z4 J台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns




% x: t+ o- D' P% w4 X
7 G3 I1 {& l" W7 M% }NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
2 g. m3 }7 g. H5 `9 }5 h/ `
- d; l; u$ b6 M( _: }  L
% I& v6 k! G3 Q4 L
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。



9 Z6 b7 M# m% ]# j' M  `5 J

, \( j7 b4 {" gAP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD

) X, l. ~, w5 G4 e. ~M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）
' m) l7 {' J+ `4 q% d. w; g

. t4 P$ ~6 V# W


" P7 ]/ T5 Q2 ^3 _! u
+ Y0 v8 g# w. ^# @; [8 P3 n


+ {' f, A% y$ c8 f

3 l: W: u" `$ ]V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT

+ S1 J. r! U, {6 C/ a
7 _: v' q- `1 f1 `8 B

# }6 G/ |' w+ q# U- a# @& U: S$ }

  I/ u& x: i; Q; v7 h7 T" w
% Z. T4 L$ H/ W; g3 t内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
. W4 {8 t/ o. w* |


A－DATA

+ d. ]. i8 w. {+ a3 ^& c3 E0 |这是A－DATA的DDR500

汗。。。。。。。。。真是多

记这个有用吗?

好 具体啊 ,,,