内存颗粒怎么看大小

Samsung内存

具体含义解释：
5 h/ R0 w! A* }  t5 }3 R
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
" N, T6 s3 l1 h& t! a
! n4 m: R! m2 ]/ e; e主要含义：

7 T; F' Q4 Q# m; s4 l1 N1 U第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
5 s; P0 Y/ ]" @9 P
. l7 z: ]" Q+ V9 H3 t1 v1 g2 \, E2 Q8 ]第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
) R0 p. g, Q$ y# {
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
8 q- ?8 [( o2 H* Z* @! O
第11位——连线“-”。

! U: N9 b! X& l+ L& u第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
( [( m( m! I  h2 Y9 r! [' Z& U
$ t$ ~( H2 _; j. Y* D; }! \知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
. n, b# `! J9 F( b$ X* F9 m' I
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
$ O3 Y8 |+ C" V) c4 v
! G6 Q5 P" D# X0 K# K
Hynix(Hyundai)现代


! x3 _% ^0 g  C·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

* _+ h3 z* d* ~! f9 @; ?( z2 q4 H·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
0 K  M, x9 }- k4 ~# g" h' W  Y9 m9 i
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
5 H- M2 [5 f+ Z9 w
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
! j" G. h& u4 |  V( o
  ~+ F0 d; Z6 x% F) `+ G·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=Fbga；FC=FBGA)
+ ^* @! m  W+ D" o5 B
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
  H0 O: `/ @3 x
. {" D1 _7 @; F6 A% P·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

$ H+ a+ Q1 r4 I5 o+ V% a·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

1 ~9 q( s: ?* N: h·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)

现代内存的含义：

1 R. Q5 _$ y, I" J9 ?2 k0 n, hHY5DV641622AT-36

" h6 r- z% Q( Z' T, S& C1 k& IHYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

* @& c6 G6 r% c% n8 ~) a1、HY代表是现代的产品
" B6 l; p& ~1 g9 p' Y! v) r
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；

3 F* v3 U) g2 V: _0 I3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

1 r* L# Q- M) l4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
& i( d- \+ z4 t8 E2 E
! j1 m' T3 F8 \* P- K% s5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

7 p1 U, c, v' |# H, D( p6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
  `. }4 t% @! u% d* u
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2

+ A1 {! Y- ]3 h0 ^5 D3 M8 ]8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
' A5 t; |0 c0 f$ d; h& Q
. D  o- F' W& r! {0 a6 v9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
8 A- A8 H' M; j) J8 q, T
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、LDR200、HDR266B、 KDR266A
" f; }' Q' r7 S: b
现代的mBGA封装的颗粒


- P- y5 ^8 F  b" O* W) |
, j5 s: e6 }4 C3 k  LInfineon（英飞凌）
$ G! ~# c' {3 M# W* w
5 y; i3 _# p7 }Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

$ x0 f9 J' d0 F6 O  r) H; yHYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
* K0 E  g; o( i$ S
! v; O1 _1 D# x. xInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
1 A2 [7 P' F+ g/ r/ z/ f
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
# [  o1 U3 k. @8 U
2 {2 {' u" L4 L, L4 v: I0 P例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
$ m  {+ Q4 x! R% y+ I( |1 x
2 M$ a  z' |, j8 \( t1 m2 C, j1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。
7 A! P! j1 x: T2 Q  @


1 s4 i: d+ d4 S
1 w1 s! z2 }, y6 D
KINGMAX、kti
9 B; A& S! ]$ F- K
8 M' K2 n: a( rKINGMAX内存的说明

Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：
+ X/ C7 \5 `5 `, M. t2 i
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；

9 t' z/ v" Z* H! H) W* AKSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
% G- z" i. E; P  l4 Q+ S
) U8 Q$ Z9 K# l" I& R: H' dKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
6 h( W5 x  [4 m
. M  A& a+ r" X3 c1 `8 o9 cKSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133/CL=2；

) D7 y' g6 \$ E9 \# p9 F% i, U$ ?9 Y-7——PC133/CL=3；

9 n& h, r: F; ]+ v-8A——PC100/CL=2；
) I1 J6 w9 D$ F0 G( W* _1 T, K
4 b: E% d" G. |" k8 [. b  H% L# N, M-8——PC100/CL=3。
. O9 ^7 @+ Z# e$ N# K* v" R
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
# U$ P+ A2 \! X$ G# c0 K
% p- Y, K+ Y! Y! u: q6 i3 ]
  p1 \: y) E2 V) g
3 z) R2 W- L# \/ A
Micron（美光）

6 `& e) F# d6 `, f+ L以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：
; ]; g, e& {9 E1 ?2 n$ X2 F
MT——Micron的厂商名称。

; l9 _) s; X! h* L- h1 s48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。

4 R; u' O# I0 ]6 W/ _: o9 c16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

9 p% P! O% p# t# \. I8 KA2——内存内核版本号。

! P8 A) e9 L9 O* p0 a: X0 P% M# NTG——封装方式，TG即TSOP封装。
% s( m0 a% a2 y% z3 H/ e
8 m, r" m) Z+ @-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
' [; |& f2 O$ j; H
4 V& J* `& d; J实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
' ~7 p: Y4 ?  C9 D+ ~
5 [. ]! d8 p$ T# v8 Y. ~其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。

' g/ J" ?: }% V

' g. Q* S7 m% k% E

% s; A4 u$ p) T& v1 D' gWinbond（华邦）

5 Y4 E# K% u/ }( c% e2 E含义说明：

WXXXXXXXX
9 b: `- t: S0 }' t5 R  n
4 e3 e6 ]: |& r& D+ `$ n) b12345

2 H- p  t' @0 ?2 @0 o4 S' l$ K1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
  k' V* j: y) `* K" X4 w" i4 ^
  }% t0 ]. e- j$ O2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
& r& e$ Y) D; ]) T# \- J
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
' \3 e, j9 _4 f2 a
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
; ]( ^* R4 z! g  U/ U& J: [5 k/ G
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

& T& b0 |. J3 P: p: C/ t
+ _3 ]$ O0 ~4 D% W, e  U! g. K6 v
2 U3 d* g3 T  ]3 p& }! C( r# ~; X


! Z4 X4 j# K8 R. |. }- {, YMosel（台湾茂矽）
$ f  M4 i$ k1 r9 }7 C% H

9 }! k' L, k+ [
. a. C7 Q( D0 K, e- Q# \6 A$ n( x台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
1 s3 E1 Y) K* u! i

3 n) q$ s1 q+ H+ u% j! t
8 O; x; Q4 ~9 ?* M: b. n7 G8 N9 K7 W

NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
. V& p7 g1 A8 ~& h/ {


南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。





AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD

) `! ]9 O1 H! I/ c6 v- u/ E1 WM.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）
' X  R7 F1 q; z# f


/ V; J5 E2 p+ c- G
, x# s2 H4 Y2 n) Y8 U

, C+ x5 a1 J" l# m: ?3 ?

# v- m: k. \# M, E- E
. }. O/ n8 |/ P
  q0 a5 n+ m& h' R: R, h
V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT


0 x; s, }7 w5 [6 N& s
2 \/ v# {4 z( D* b# [6 p! i
$ A2 r) L% @2 ]


内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周

- v5 p/ b; R/ N# m* D, A) p( j
, q* u$ S0 Y0 i
- G2 q) ?7 B% r8 }3 ^3 f- bA－DATA

' }! A) K$ `' C3 a0 V这是A－DATA的DDR500

汗。。。。。。。。。真是多

记这个有用吗?

好 具体啊 ,,,